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• EPC
  TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2001C
  仓库库存编号：917-1079-1-ND
  别名：917-1079-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3NF06L
  仓库库存编号：497-3177-1-ND
  别名：497-3177-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20LTM
  仓库库存编号：FQD7N20LTMCT-ND
  别名：FQD7N20LTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN4NF06L
  仓库库存编号：497-10315-1-ND
  别名：497-10315-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS4DNFS30L
  仓库库存编号：497-3227-1-ND
  别名：497-3227-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP22NF03L
  仓库库存编号：497-7516-5-ND
  别名：497-7516-5
  STP22NF03L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 770mA（Ta） 1.8W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：IRLM210ATF
  仓库库存编号：IRLM210ATF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），21W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR210ATM
  仓库库存编号：IRLR210ATM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N20L
  仓库库存编号：FQPF7N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20LTF
  仓库库存编号：FQD7N20LTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N20L
  仓库库存编号：FQP7N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），21W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR210ATF
  仓库库存编号：IRLR210ATF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 33W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRL610A
  仓库库存编号：IRL610A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），33W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRLI610ATU
  仓库库存编号：IRLI610ATU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），33W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRLW610ATM
  仓库库存编号：IRLW610ATM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6.5A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N20LTM
  仓库库存编号：FQB7N20LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Ta） 2W（Ta） 12-BGA（2x2.5）
  
  型号：FDZ209N
  仓库库存编号：FDZ209NCT-ND
  别名：FDZ209NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4953
  仓库库存编号：FDS4953CT-ND
  别名：FDS4953CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6012(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6012(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6012(TE85LFM)
  TPC6012TE85LFM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 5V,
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