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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 35A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16134-1-ND
  别名：497-16134-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF40N60M2
  仓库库存编号：497-14193-5-ND
  别名：497-14193-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW40N60M2
  仓库库存编号：497-15538-5-ND
  别名：497-15538-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP40N60M2
  仓库库存编号：497-14222-5-ND
  别名：497-14222-5
  STP40N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8854
  仓库库存编号：FDMC8854CT-ND
  别名：FDMC8854CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7488TRPBF
  仓库库存编号：IRF7488TRPBFCT-ND
  别名：IRF7488TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP130N10F3
  仓库库存编号：497-12984-5-ND
  别名：497-12984-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI130N10F3
  仓库库存编号：497-13579-5-ND
  别名：497-13579-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI40N60M2
  仓库库存编号：497-14195-5-ND
  别名：497-14195-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N60M2
  仓库库存编号：497-14203-5-ND
  别名：497-14203-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 62A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 116W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07114
  仓库库存编号：SKI07114CT-ND
  别名：SKI07114CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.9A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），33W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7672
  仓库库存编号：FDMC7672CT-ND
  别名：FDMC7672CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4423L
  仓库库存编号：785-1751-1-ND
  别名：785-1751-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 26A PT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0306AS
  仓库库存编号：FDMS0306ASCT-ND
  别名：FDMS0306ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAK SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ443EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ443EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ443EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：N 沟道 200A（Ta），170A（Tc） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18542KTTT
  仓库库存编号：296-44124-1-ND
  别名：296-44124-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7403TRPBF
  仓库库存编号：IRF7403PBFCT-ND
  别名：*IRF7403TRPBF
  IRF7403PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC009NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC009NE2LS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Ta） 200W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18542KCS
  仓库库存编号：296-42271-5-ND
  别名：296-42271-5
  CSD18542KCS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
• 含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055T2
  仓库库存编号：IXTP110N055T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 300V 19A TO262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 210W（Tc） TO-262-3
  
  型号：AUIRFSL6535
  仓库库存编号：AUIRFSL6535-ND
  别名：SP001522854
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 88W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R5-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4164-1-ND
  别名：1727-4164-1
  568-4680-1
  568-4680-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7370DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40N60M2
  仓库库存编号：497-14963-1-ND
  别名：497-14963-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055T2
  仓库库存编号：IXTA110N055T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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