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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta）
  
  型号：SI7370DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH130N10F3-2
  仓库库存编号：497-13091-1-ND
  别名：497-13091-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19532KTTT
  仓库库存编号：296-43211-1-ND
  别名：296-43211-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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  含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF130N10F3
  仓库库存编号：497-13098-5-ND
  别名：497-13098-5
  STF130N10F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW40N60M2-4
  仓库库存编号：STW40N60M2-4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），59W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8023S
  仓库库存编号：FDMS8023SCT-ND
  别名：FDMS8023SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.5W（Ta）, 16.5W（Tc）
  
  型号：UPA2825T1S-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2825T1S-E2-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4423
  仓库库存编号：785-1288-1-ND
  别名：785-1288-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 3.1W（Ta），77W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI07113
  仓库库存编号：GKI07113CT-ND
  别名：GKI07113CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 116W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI07117
  仓库库存编号：EKI07117-ND
  别名：EKI07117 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP52N055SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP52N055SUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60C
  仓库库存编号：FQPF10N60C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0603DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0603DPN-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N08S222ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N08S222ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N08S2-22
  IPD30N08S2-22-ND
  SP000252169
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS6535
  仓库库存编号：AUIRFS6535-ND
  别名：SP001516136
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS6535TRL
  仓库库存编号：AUIRFS6535TRLTR-ND
  别名：AUIRFS6535TRLTR
  SP001521690
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI10N60CTU
  仓库库存编号：FQI10N60CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP10N60C
  仓库库存编号：FQP10N60C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FQPF10N60CYDTU
  仓库库存编号：FQPF10N60CYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N60CTM
  仓库库存编号：FQB10N60CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 192W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA10N60C
  仓库库存编号：FQA10N60C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.9A（Tc） 107W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF8N80
  仓库库存编号：FQAF8N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CF
  仓库库存编号：FQPF10N60CF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 76A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 76A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA76N075T
  仓库库存编号：IXTA76N075T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 76A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 76A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP76N075T
  仓库库存编号：IXTP76N075T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 57nC @ 10V,
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