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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60CT
仓库库存编号:
FQPF10N60CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2530AL,115
仓库库存编号:
PH2530AL,115-ND
别名:934063084115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 141W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R9-25YLC,115
仓库库存编号:
568-6725-1-ND
别名:568-6725-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36V 27A(Ta) 3.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4310
仓库库存编号:
785-1546-1-ND
别名:785-1546-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7403TR
仓库库存编号:
IRF7403TR-ND
别名:Q829130
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S3-16
仓库库存编号:
IPI45N06S3-16IN-ND
别名:IPI45N06S3-16-ND
IPI45N06S3-16IN
IPI45N06S316X
IPI45N06S316XK
SP000102217
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S3-16
仓库库存编号:
IPP45N06S3-16IN-ND
别名:IPP45N06S3-16-ND
IPP45N06S3-16IN
IPP45N06S316X
IPP45N06S316XK
SP000102218
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2-22
仓库库存编号:
SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S3-16
仓库库存编号:
IPB45N06S3-16INCT-ND
别名:IPB45N06S3-16INCT
IPB45N06S316
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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