规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL716SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL716SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942924
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.3A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP716NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP716NH6327XTSA1-ND
别名:SP001087514
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN55LN,135
仓库库存编号:
568-7425-1-ND
别名:568-7425-1
PMN55LN135
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN34LN,135
仓库库存编号:
568-7419-1-ND
别名:568-7419-1
PMN34LN135
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28.43A(Tc) 60W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y35-55B,115
仓库库存编号:
568-5520-1-ND
别名:568-5520-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.1nC @ 10V,
无铅
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