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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N04S2H4AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N04S2H4AKSA2-ND
  别名：SP001061290
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 65A Through Hole EPM15
  
  型号：FD6M043N08
  仓库库存编号：FD6M043N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPB80N04S2-H4-ND
  别名：SP000016358
  SPB80N04S2H4T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPP80N04S2-H4-ND
  别名：SP000013150
  SPP80N04S2H4
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S2H4ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S2-H4
  IPB80N04S2-H4-ND
  SP000218165
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S2H4AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S2H4AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S2-H4
  IPI80N04S2-H4-ND
  SP000218171
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S2H4AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S2H4AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S2-H4
  IPP80N04S2-H4-ND
  SP000218169
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S2H4AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N04S2H4AKSA2-ND
  别名：SP001061288
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 148nC @ 10V,
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