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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK80Z
仓库库存编号:
497-5133-5-ND
别名:497-5133-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 40W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI34NM60N
仓库库存编号:
497-12861-5-ND
别名:497-12861-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STB25NM50N-1
仓库库存编号:
497-5729-ND
别名:497-5729
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 610mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN2011UFDE-13
仓库库存编号:
DMN2011UFDE-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 38A(Tc) 94W(Tc) Power56
型号:
FDMS36101L_F085
仓库库存编号:
FDMS36101L_F085CT-ND
别名:FDMS36101L_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT1608L
仓库库存编号:
785-1412-5-ND
别名:785-1412-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB1608L
仓库库存编号:
785-1322-1-ND
别名:785-1322-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Ta) TO-220-3
型号:
TK40E10K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK40E10K3S1X(S-ND
别名:TK40E10K3S1X(S
TK40E10K3S1XS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP448PBF
仓库库存编号:
IRFP448PBF-ND
别名:*IRFP448PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号:
IRFPC50LCPBF-ND
别名:*IRFPC50LCPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50Q
仓库库存编号:
IXFH21N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXFT21N50Q
仓库库存编号:
IXFT21N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 56A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU3607
仓库库存编号:
AUIRFU3607-ND
别名:SP001520676
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3607TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3607TRL-ND
别名:SP001520722
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 120A(Tc) 313W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503860
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW25NM60N
仓库库存编号:
497-5025-5-ND
别名:497-5025-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25NM50N
仓库库存编号:
497-4655-5-ND
别名:497-4655-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25NM50N
仓库库存编号:
497-4672-5-ND
别名:497-4672-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW25NM50N
仓库库存编号:
497-4675-5-ND
别名:497-4675-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25NM60N
仓库库存编号:
497-5005-5-ND
别名:497-5005-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25NM60N
仓库库存编号:
497-5020-5-ND
别名:497-5020-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NM60N
仓库库存编号:
497-5003-1-ND
别名:497-5003-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9NK80Z
仓库库存编号:
497-5108-5-ND
别名:497-5108-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V,
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