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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P04-04L-E3
  仓库库存编号：SUM110P04-04L-E3CT-ND
  别名：SUM110P04-04L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS43N50KPBF
  仓库库存编号：IRFPS43N50KPBF-ND
  别名：*IRFPS43N50KPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY112N65M5
  仓库库存编号：497-11236-5-ND
  别名：497-11236-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 56A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH060N80_F155
  仓库库存编号：FCH060N80_F155-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N100P
  仓库库存编号：IXFN38N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 93A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100P10-19L_GE3
  仓库库存编号：SQM100P10-19L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 29A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL38N100P
  仓库库存编号：IXFL38N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 220A（Tc） 789W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC220SA20
  仓库库存编号：VS-FC220SA20-ND
  别名：VSFC220SA20
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N110P
  仓库库存编号：IXFN36N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM09T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM09T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DSKM09T3G
  仓库库存编号：APTM10DSKM09T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10HM09FT3G
  仓库库存编号：APTM10HM09FT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TDUM09PG
  仓库库存编号：APTM10TDUM09PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TAM09FPG
  仓库库存编号：APTM10TAM09FPG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 47A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS43N50K
  仓库库存编号：IRFPS43N50K-ND
  别名：*IRFPS43N50K
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 123A（Tc） 313W（Tc） TO-264
  
  型号：NTY100N10
  仓库库存编号：NTY100N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 123A（Tc） 313W（Tc） TO-264
  
  型号：NTY100N10G
  仓库库存编号：NTY100N10G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 625W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10M09B2VFRG
  仓库库存编号：APT10M09B2VFRG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10DHM09TG
  仓库库存编号：APTM10DHM09TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10HM09FTG
  仓库库存编号：APTM10HM09FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 350nC @ 10V,
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