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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT56F50B2
仓库库存编号:
APT56F50B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ100EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ100EL-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-RE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08_F102
仓库库存编号:
FDP032N08_F102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) TO-262-3
型号:
2SK4066-1E
仓库库存编号:
2SK4066-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK4066-DL-1E
仓库库存编号:
2SK4066-DL-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK4065-DL-1E
仓库库存编号:
2SK4065-DL-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Ta) 283W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB5860NLT4G
仓库库存编号:
NVB5860NLT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 1.75W(Ta),90W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4094-1E
仓库库存编号:
2SK4094-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N20
仓库库存编号:
IXFT50N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N20
仓库库存编号:
IXTH50N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NK30Z
仓库库存编号:
497-4432-5-ND
别名:497-4432-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20
仓库库存编号:
IXFT58N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX14N100
仓库库存编号:
IXFX14N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX15N100
仓库库存编号:
IXFX15N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 56A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT56F50L
仓库库存编号:
APT56F50L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100
仓库库存编号:
IXFH15N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N100
仓库库存编号:
IXFT14N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 38A(Tc) 357W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT38M50J
仓库库存编号:
APT38M50J-ND
别名:APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 38A Chassis Mount ECO-PAC2
型号:
VHM40-06P1
仓库库存编号:
VHM40-06P1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 38A Chassis Mount ECO-PAC2
型号:
VKM40-06P1
仓库库存编号:
VKM40-06P1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Ta),148A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7748L1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7748L1TRPBFCT-ND
别名:IRF7748L1TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 450W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS30N60KPBF
仓库库存编号:
IRFPS30N60KPBF-ND
别名:*IRFPS30N60KPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 480W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS29N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS29N60LPBF-ND
别名:*IRFPS29N60LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N100
仓库库存编号:
IXFH14N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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