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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK4065-DL-E
仓库库存编号:
2SK4065-DL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A SMP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) SMP
型号:
2SK4065-E
仓库库存编号:
2SK4065-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK4066-DL-E
仓库库存编号:
2SK4066-DL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) SMP
型号:
2SK4066-E
仓库库存编号:
2SK4066-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V TO263-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK4065-DL-1EX
仓库库存编号:
2SK4065-DL-1EX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V TO263-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Ta) 1.65W(Ta),90W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK4066-DL-1EX
仓库库存编号:
2SK4066-DL-1EX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名:SPP100N03S2L-03IN
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 106A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3808LPBF
仓库库存编号:
IRF3808LPBF-ND
别名:*IRF3808LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L03-ND
别名:SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L03-ND
别名:SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-03-ND
别名:SP000012469
SPP80N03S2L03X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3077GPBF
仓库库存编号:
IRFB3077GPBF-ND
别名:SP001555982
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 106A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3808S
仓库库存编号:
AUIRF3808S-ND
别名:SP001519466
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