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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N06-3M9H-E3
  仓库库存编号：SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
  别名：SUM110N06-3M9H-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS23DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS23DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS23DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7769L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7769L1TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS3006TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS3006TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS3006TRL7PPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 340A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 935W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH340N075T2
  仓库库存编号：IXFH340N075T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R041CFD
  仓库库存编号：IPW65R041CFD-ND
  别名：IPW65R041CFDFKSA1
  SP000756288
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3006TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3006TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3006TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3006PBF
  仓库库存编号：IRFB3006PBF-ND
  别名：SP001570606
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N20
  仓库库存编号：IXFK120N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3006GPBF
  仓库库存编号：IRFB3006GPBF-ND
  别名：SP001577692
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3006PBF
  仓库库存编号：IRFSL3006PBF-ND
  别名：SP001573396
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
  详细描述：通孔 P 沟道 68A（Ta） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3SG
  
  型号：BMS3004-1E
  仓库库存编号：BMS3004-1EOS-ND
  别名：BMS3004-1E-ND
  BMS3004-1EOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 257A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3006PBF
  仓库库存编号：IRFP3006PBF-ND
  别名：SP001556714
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 72.8A（Tc） 543W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH76N60NF
  仓库库存编号：FCH76N60NF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 290W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7534TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7534TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS7534TRL7PPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N20
  仓库库存编号：IXFX120N20-ND
  别名：IFX120N20
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT26F120L
  仓库库存编号：APT26F120L-ND
  别名：APT26F120LMI
  APT26F120LMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT17F120J
  仓库库存编号：APT17F120J-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 142A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT10M11JVRU3
  仓库库存编号：APT10M11JVRU3-ND
  别名：APT10M11JVRU3MI
  APT10M11JVRU3MI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 19A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT19M120J
  仓库库存编号：APT19M120J-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 95A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM24T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM24T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount
  
  型号：APTC60AM242G
  仓库库存编号：APTC60AM242G-ND
  别名：CC20008
  CC20008A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DSKM24T3G
  仓库库存编号：APTC60DSKM24T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB120N50P2
  仓库库存编号：IXFB120N50P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110Q3
  仓库库存编号：IXFB40N110Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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