以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW12NK95Z
  仓库库存编号：497-5167-5-ND
  别名：497-5167-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP2018LFK-7
  仓库库存编号：DMP2018LFK-7DICT-ND
  别名：DMP2018LFK-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8026(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8026TE12LQMCT-ND
  别名：TPCA8026TE12LQM
  TPCA8026TE12LQMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8540L
  仓库库存编号：FDMD8540LCT-ND
  别名：FDMD8540LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0300N1007L
  仓库库存编号：FDB0300N1007LCT-ND
  别名：FDB0300N1007LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N50P2
  仓库库存编号：IXFH52N50P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N50P2
  仓库库存编号：IXFT52N50P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH52N65X
  仓库库存编号：IXTH52N65X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4483EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4483EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4483BEEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4483BEEY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5830NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5830NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5830NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5830NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5830NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5830NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5830NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5830NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 9.6A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
  
  型号：IRFS450B
  仓库库存编号：IRFS450B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ130N15T
  仓库库存编号：IXTQ130N15T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH130N15T
  仓库库存编号：IXTH130N15T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8660S
  仓库库存编号：FDMS8660SCT-ND
  别名：FDMS8660SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：IRFP450B
  仓库库存编号：IRFP450B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），172A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5830NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5830NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR640DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR640DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR640DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索