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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP73N03S2L08XK
仓库库存编号:
SPP73N03S2L08XK-ND
别名:SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN
SPP73N03S2L-08IN-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08INTR-ND
别名:SPB73N03S2L08INTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L08T
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08T-ND
别名:SP000016257
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08 G
仓库库存编号:
SPB73N03S2L-08 G-ND
别名:SP000200138
SPB73N03S2L08GXT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPI73N03S2L-08-ND
别名:SP000016263
SPI73N03S2L08X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 32.1A(Tc) 46.1W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN016-100XS,127
仓库库存编号:
568-9500-5-ND
别名:568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.2nC @ 10V,
无铅
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