以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN2NF10
  仓库库存编号：497-8023-1-ND
  别名：497-8023-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta） 2.14W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMP4051LK3-13
  仓库库存编号：DMP4051LK3-13DICT-ND
  别名：DMP4051LK3-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN069-100YS,115
  仓库库存编号：1727-4631-1-ND
  别名：1727-4631-1
  568-5588-1
  568-5588-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7ANM60N
  仓库库存编号：497-13940-1-ND
  别名：497-13940-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9020PBFCT-ND
  别名：*IRFR9020TRPBF
  IRFR9020PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR9214TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9214TRPBFCT-ND
  别名：IRFR9214TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203TRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203TRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRLL014NPBFCT-ND
  别名：*IRLL014NTRPBF
  IRLL014NPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：RHP020N06T100
  仓库库存编号：RHP020N06T100CT-ND
  别名：RHP020N06T100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220TRPBF
  仓库库存编号：IRFR220PBFCT-ND
  别名：*IRFR220TRPBF
  IRFR220PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224TRPBF
  仓库库存编号：IRFR224PBFCT-ND
  别名：*IRFR224TRPBF
  IRFR224PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9NM40N
  仓库库存编号：497-13426-1-ND
  别名：497-13426-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7NM60N
  仓库库存编号：497-11042-1-ND
  别名：497-11042-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP2955G
  仓库库存编号：NTP2955GOS-ND
  别名：NTP2955G-ND
  NTP2955GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7NM60N
  仓库库存编号：497-12367-ND
  别名：497-12367
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFL024ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFL024ZTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP170PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP170PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N60C
  仓库库存编号：FQP3N60CFS-ND
  别名：FQP3N60C-ND
  FQP3N60CFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU1N60APBF
  仓库库存编号：IRFU1N60APBF-ND
  别名：*IRFU1N60APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB1P50TM
  仓库库存编号：FQB1P50TMCT-ND
  别名：FQB1P50TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620SPBF
  仓库库存编号：IRF620SPBF-ND
  别名：*IRF620SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF624SPBF
  仓库库存编号：IRF624SPBF-ND
  别名：*IRF624SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S4L-14CT
  IPD30N03S4L-14CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9952TRPBF
  仓库库存编号：IRF9952PBFCT-ND
  别名：*IRF9952TRPBF
  IRF9952PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索