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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25N10F7
  仓库库存编号：497-14530-1-ND
  别名：497-14530-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB7ANM60N
  仓库库存编号：497-13935-1-ND
  别名：497-13935-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 144W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK12J60U(F)
  仓库库存编号：TK12J60UF-ND
  别名：TK12J60U(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9335TRPBF
  仓库库存编号：IRF9335TRPBFCT-ND
  别名：IRF9335TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRLL014NTR
  仓库库存编号：AUIRLL014NTRCT-ND
  别名：AUIRLL014NTRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF620PBF
  仓库库存编号：IRF620PBF-ND
  别名：*IRF620PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220PBF
  仓库库存编号：IRFD220PBF-ND
  别名：*IRFD220PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：STP25N10F7
  仓库库存编号：497-14572-5-ND
  别名：497-14572-5
  STP25N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NM50N
  仓库库存编号：497-10965-5-ND
  别名：497-10965-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N10F7
  仓库库存编号：497-14553-5-ND
  别名：497-14553-5
  STF25N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：ZDX050N50
  仓库库存编号：ZDX050N50-ND
  别名：ZDX050N50CT
  ZDX050N50CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6NF10
  仓库库存编号：497-12700-5-ND
  别名：497-12700-5
  STU6NF10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620STRLPBF
  仓库库存编号：IRF620STRLPBFCT-ND
  别名：IRF620STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI620GPBF
  仓库库存编号：IRFI620GPBF-ND
  别名：*IRFI620GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP9NM40N
  仓库库存编号：497-13590-5-ND
  别名：497-13590-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8NM50N
  仓库库存编号：497-12590-5-ND
  别名：497-12590-5
  STF8NM50N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.1A（Ta） 820mW（Ta） 6-UDFN2020（2x2）
  
  型号：DMT5015LFDF-7
  仓库库存编号：DMT5015LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT5015LFDF-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMT3008LFDF-7
  仓库库存编号：DMT3008LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT3008LFDF-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 21.9W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF2250N80Z
  仓库库存编号：FCPF2250N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB4N62K3
  仓库库存编号：497-10645-1-ND
  别名：497-10645-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60U(QM)-ND
  别名：TK12A60U(Q)
  TK12A60U(Q)-ND
  TK12A60U(QM)
  TK12A60UQ-ND
  TK12A60UQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9389TRPBF
  仓库库存编号：IRF9389TRPBFCT-ND
  别名：IRF9389TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS9435A
  仓库库存编号：FDS9435ACT-ND
  别名：FDS9435ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD050N10TL
  仓库库存编号：RSD050N10TLCT-ND
  别名：RSD050N10TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9214PBF
  仓库库存编号：IRFR9214PBF-ND
  别名：*IRFR9214PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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