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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM60N
  仓库库存编号：497-10570-5-ND
  别名：497-10570-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.8A（Ta） 2.03W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3021LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3021LFDF-7DICT-ND
  别名：DMN3021LFDF-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.8A（Ta） 2.03W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3021LFDF-13
  仓库库存编号：DMN3021LFDF-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 2.5W（Ta），21W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD480
  仓库库存编号：785-1113-1-ND
  别名：785-1113-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMP6185SE-13
  仓库库存编号：DMP6185SE-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMP6185SE-7
  仓库库存编号：DMP6185SE-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8884
  仓库库存编号：FDMC8884CT-ND
  别名：FDMC8884CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5N50
  仓库库存编号：AOD5N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） 6-CPH
  
  型号：NVC6S5A354PLZT1G
  仓库库存编号：NVC6S5A354PLZT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6110(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6110(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6110(TE85LFM)
  TPC6110TE85LFM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD6N50
  仓库库存编号：785-1482-1-ND
  别名：785-1482-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），17A（Tc） 3.4W（Ta），49W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5490NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5490NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD5490NLT4G
  NVD5490NLT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 1.8W 8-SOIC
  
  型号：FW297-TL-2W
  仓库库存编号：FW297-TL-2W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHFR1N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFR1N60A-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224PBF
  仓库库存编号：IRFD224PBF-ND
  别名：*IRFD224PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9214PBF
  仓库库存编号：IRFU9214PBF-ND
  别名：*IRFU9214PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9020PBF
  仓库库存编号：IRFU9020PBF-ND
  别名：*IRFU9020PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9020TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF624PBF
  仓库库存编号：IRF624PBF-ND
  别名：*IRF624PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224
  仓库库存编号：IRFD224-ND
  别名：*IRFD224
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 50W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N120P
  仓库库存编号：IXTA08N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N120P
  仓库库存编号：IXTP08N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL305SPEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL305SPEH6327XTSA1-ND
  别名：SP000953150
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9956TRPBF
  仓库库存编号：IRF9956PBFTR-ND
  别名：IRF9956PBFTR
  IRF9956TRPBF-ND
  IRF9956TRPBFTR-ND
  SP001565688
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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