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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU224
  仓库库存编号：IRFU224-ND
  别名：*IRFU224
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9214
  仓库库存编号：IRFU9214-ND
  别名：*IRFU9214
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF620L
  仓库库存编号：IRF620L-ND
  别名：*IRF620L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620STRL
  仓库库存编号：IRF620STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620STRR
  仓库库存编号：IRF620STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF624L
  仓库库存编号：IRF624L-ND
  别名：*IRF624L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF624STRL
  仓库库存编号：IRF624STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF624STRR
  仓库库存编号：IRF624STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRL
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATR
  仓库库存编号：IRFR1N60ATR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRR
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224TRR
  仓库库存编号：IRFR224TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRL
  仓库库存编号：IRFR9020TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRR
  仓库库存编号：IRFR9020TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9214TRL
  仓库库存编号：IRFR9214TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9214TR
  仓库库存编号：IRFR9214TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9214TRR
  仓库库存编号：IRFR9214TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU1N60A
  仓库库存编号：IRFU1N60A-ND
  别名：*IRFU1N60A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI620
  仓库库存编号：IRFI620-ND
  别名：*IRFI620
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P25TF
  仓库库存编号：FQD4P25TF-ND
  别名：Q1585607A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055-160T3LF
  仓库库存编号：NTF3055-160T3LFOS-ND
  别名：NTF3055-160T3LFOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055-160T1
  仓库库存编号：NTF3055-160T1OS-ND
  别名：NTF3055-160T1OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI624GPBF
  仓库库存编号：IRFI624GPBF-ND
  别名：*IRFI624GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4P25TU
  仓库库存编号：FQU4P25TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 4A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4P25
  仓库库存编号：FQP4P25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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