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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 1.03A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF1P50
  仓库库存编号：FQPF1P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 1.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1P50TF
  仓库库存编号：FQD1P50TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 1.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1P50TM
  仓库库存编号：FQD1P50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 1.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220
  
  型号：FQP1P50
  仓库库存编号：FQP1P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4P25TM
  仓库库存编号：FQB4P25TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 1.5A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI1P50TU
  仓库库存编号：FQI1P50TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU3N60CTU
  仓库库存编号：FQU3N60CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP2955
  仓库库存编号：NTP2955-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Tc） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3459DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3459DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3459DV-T1-E3CT
  SI3459DVT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7501DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7501DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7501DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N60CTM
  仓库库存编号：FQB3N60CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8304(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8304(TE85LFM-ND
  别名：TPCF8304(TE85L,F)
  TPCF8304(TE85L,F)-ND
  TPCF8304(TE85LFM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRRPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.2A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4940DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4940DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.2A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4940DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4940DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 5.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1L055SNTR
  仓库库存编号：RP1L055SNCT-ND
  别名：RP1L055SNTRCT
  RP1L055SNTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），11A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD498
  仓库库存编号：AOD498-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5026DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5026DPP-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK5026DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK5026DPP-M0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 62.5W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6026DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6026DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ962EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ962EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PG
  仓库库存编号：GP2M005A060PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A060CG
  仓库库存编号：1560-1199-1-ND
  别名：1560-1199-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M005A060FG
  仓库库存编号：1560-1200-5-ND
  别名：1560-1200-1
  1560-1200-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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