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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP114N03L G
  仓库库存编号：IPP114N03LGIN-ND
  别名：IPP114N03LGIN
  IPP114N03LGXK
  SP000264168
  SP000680862
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS105N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS105N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS105N03L G
  IPS105N03LG
  IPS105N03LGIN
  IPS105N03LGIN-ND
  IPS105N03LGXK
  SP000264172
  SP000788218
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU105N03L G
  仓库库存编号：IPU105N03LGIN-ND
  别名：IPU105N03LGIN
  IPU105N03LGXK
  SP000271466
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB114N03L G
  仓库库存编号：IPB114N03L G-ND
  别名：SP000304102
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI22N03S4L15AKSA1
  仓库库存编号：IPI22N03S4L15AKSA1-ND
  别名：IPI22N03S4L-15
  IPI22N03S4L-15-ND
  SP000277016
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP22N03S4L15AKSA1
  仓库库存编号：IPP22N03S4L15AKSA1-ND
  别名：IPP22N03S4L-15
  IPP22N03S4L-15-ND
  SP000275290
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF9952Q
  仓库库存编号：AUIRF9952Q-ND
  别名：SP001519192
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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