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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 158A（Tc） 429W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH055N15A
  仓库库存编号：FDH055N15A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P60P
  仓库库存编号：IXTH16P60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16P60P
  仓库库存编号：IXTT16P60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 46A
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW65N80K5
  仓库库存编号：497-16333-5-ND
  别名：497-16333-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7416TRPBF
  仓库库存编号：IRF7416TRPBFCT-ND
  别名：IRF7416TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW14NK50Z
  仓库库存编号：497-3258-5-ND
  别名：497-3258-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP14NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12607-5-ND
  别名：497-12607-5
  STP14NK50ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA6N120P
  仓库库存编号：IXFA6N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB20N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHB20N50E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13NK60Z
  仓库库存编号：497-12856-5-ND
  别名：497-12856-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NK50Z
  仓库库存编号：497-4526-5-ND
  别名：497-4526-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP13NK60ZFP
  仓库库存编号：497-12605-5-ND
  别名：497-12605-5
  STP13NK60ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9408_F085
  仓库库存编号：FDMS9408_F085CT-ND
  别名：FDMS9408_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13NK60ZT4
  仓库库存编号：497-6546-1-ND
  别名：497-6546-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NK50ZT4
  仓库库存编号：497-12534-1-ND
  别名：497-12534-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP6N120P
  仓库库存编号：IXFP6N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7416GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7416GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7416GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3915TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3915TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3915TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 155A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT059N15N3ATMA1
  仓库库存编号：IPT059N15N3ATMA1CT-ND
  别名：IPT059N15N3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP13NK60Z
  仓库库存编号：497-3182-5-ND
  别名：497-3182-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N50P2
  仓库库存编号：IXFH42N50P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 42A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT42N50P2
  仓库库存编号：IXFT42N50P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR16P60P
  仓库库存编号：IXTR16P60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA20N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA20N50E-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM100N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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