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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NF06LT4
  仓库库存编号：497-2487-1-ND
  别名：497-2487-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
  
  型号：SH8K32TB1
  仓库库存编号：SH8K32TB1CT-ND
  别名：SH8K32TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NF06L
  仓库库存编号：497-2765-5-ND
  别名：497-2765-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2001
  仓库库存编号：917-1014-1-ND
  别名：917-1014-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2001
  仓库库存编号：917-1014-6-ND
  别名：917-1014-6
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2033
  仓库库存编号：917-1131-1-ND
  别名：917-1131-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.5W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055L170T4G
  仓库库存编号：NTD3055L170T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055L170T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 5.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS8C5H30L
  仓库库存编号：497-4398-1-ND
  别名：497-4398-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） DPAK
  
  型号：NVD3055L170T4G-VF01
  仓库库存编号：NVD3055L170T4G-VF01CT-ND
  别名：NVD3055L170T4G-VF01CT
  NVD3055L170T4GOSCT
  NVD3055L170T4GOSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6111(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6111(TE85LFM)CT-ND
  别名：TPC6111(TE85LFM)CT
  TPC6111TE85LFCT
  TPC6111TE85LFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：MTD3055VL
  仓库库存编号：MTD3055VLCT-ND
  别名：MTD3055VLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6912
  仓库库存编号：FDS6912CT-ND
  别名：FDS6912CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2033ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2033ENGRCT-ND
  别名：917-1141-1
  917-1141-1-ND
  917-EPC2033ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：MTP3055VL
  仓库库存编号：MTP3055VLFS-ND
  别名：MTP3055VLFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5A VS6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6113(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6113(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6113(TE85LFM)
  TPC6113TE85LFM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T3LF
  仓库库存编号：NTF3055L175T3LFOS-ND
  别名：NTF3055L175T3LFOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T1
  仓库库存编号：NTF3055L175T1OS-ND
  别名：NTF3055L175T1OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.5W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055L170-001
  仓库库存编号：NTD3055L170-001OS-ND
  别名：NTD3055L170-001OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP3055VL
  仓库库存编号：MTP3055VLOS-ND
  别名：MTP3055VLOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.5W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD3055L170
  仓库库存编号：NTD3055L170-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.5W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055L170-1G
  仓库库存编号：NTD3055L170-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T3
  仓库库存编号：NTF3055L175T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V,
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