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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25NF20
  仓库库存编号：497-13749-1-ND
  别名：497-13749-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7401
  仓库库存编号：785-1302-1-ND
  别名：785-1302-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4805
  仓库库存编号：785-1055-1-ND
  别名：785-1055-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NF20
  仓库库存编号：497-5811-5-ND
  别名：497-5811-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4407A
  仓库库存编号：785-1022-1-ND
  别名：785-1022-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R2-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5299-1-ND
  别名：1727-5299-1
  568-6729-1
  568-6729-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9362TRPBF
  仓库库存编号：IRF9362TRPBFCT-ND
  别名：IRF9362TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LS
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSCT-ND
  别名：BSZ018NE2LSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z30PBF
  仓库库存编号：IRF9Z30PBF-ND
  别名：*IRF9Z30PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014NE2LSI
  仓库库存编号：BSC014NE2LSICT-ND
  别名：BSC014NE2LSICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7450TRPBF
  仓库库存编号：IRF7450PBFCT-ND
  别名：*IRF7450TRPBF
  IRF7450PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840GLCPBF
  仓库库存编号：IRFI840GLCPBF-ND
  别名：*IRFI840GLCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740LCPBF
  仓库库存编号：IRF740LCPBF-ND
  别名：*IRF740LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA4N100Q-TRL
  仓库库存编号：IXFA4N100Q-TRLCT-ND
  别名：IXFA4N100Q-TRLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP12NM50FP
  仓库库存编号：497-2665-5-ND
  别名：497-2665-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40LCPBF
  仓库库存编号：IRFBC40LCPBF-ND
  别名：*IRFBC40LCPBF
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R6-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5300-1-ND
  别名：1727-5300-1
  568-6730-1
  568-6730-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62W（Tc）
  
  型号：SQS484EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS484EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS484EN-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y4R4-40EX
  仓库库存编号：1727-1113-1-ND
  别名：1727-1113-1
  568-10268-1
  568-10268-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S4L08ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N04S4L08ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），26A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7678
  仓库库存编号：FDMS7678CT-ND
  别名：FDMS7678CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 3.8W（Ta），60W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3690
  仓库库存编号：FDD3690CT-ND
  别名：FDD3690CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta），35A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP42AN15A0
  仓库库存编号：FDP42AN15A0FS-ND
  别名：FDP42AN15A0-ND
  FDP42AN15A0FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50T4
  仓库库存编号：497-5381-1-ND
  别名：497-5381-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA3N120TRL
  仓库库存编号：IXFA3N120TRLCT-ND
  别名：IXFA3N120TRLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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