品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9362TRPBF
仓库库存编号:
IRF9362TRPBFCT-ND
别名:IRF9362TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LS
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSCT-ND
别名:BSZ018NE2LSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014NE2LSI
仓库库存编号:
BSC014NE2LSICT-ND
别名:BSC014NE2LSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450TRPBF
仓库库存编号:
IRF7450PBFCT-ND
别名:*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L08ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L08ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc)
型号:
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8326TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名:IRFH7191TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7853TRPBF
仓库库存编号:
IRF7853TRPBFCT-ND
别名:IRF7853TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7855TRPBF
仓库库存编号:
IRF7855TRPBFCT-ND
别名:IRF7855TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R380E6
仓库库存编号:
IPA65R380E6-ND
别名:IPA65R380E6XKSA1
SP000795282
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380E6
仓库库存编号:
IPP65R380E6-ND
别名:IPP65R380E6XKSA1
SP000795280
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名:SP000776044
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L08AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L08AATMA1-ND
别名:SP001265576
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S4L14ATMA2
仓库库存编号:
IPG20N06S4L14ATMA2-ND
别名:SP001028632
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S4L14AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L14AATMA1-ND
别名:SP001023846
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名:SP001429766
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名:SP001117736
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 83W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名:SP000895214
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 39nC @ 10V,
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