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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD2HNK60Z
  仓库库存编号：497-6192-1-ND
  别名：497-6192-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC655BN
  仓库库存编号：FDC655BNCT-ND
  别名：FDC655BNCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2307BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2307BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2307BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2318DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2318DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2318DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5867NLT4G
  仓库库存编号：NTD5867NLT4GOSCT-ND
  别名：NTD5867NLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT2955
  仓库库存编号：NDT2955CT-ND
  别名：NDT2955CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT3055
  仓库库存编号：NDT3055CT-ND
  别名：NDT3055CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4936BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4936BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 65W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y12-40EX
  仓库库存编号：1727-1106-1-ND
  别名：1727-1106-1
  568-10261-1
  568-10261-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6982AS
  仓库库存编号：FDS6982ASCT-ND
  别名：FDS6982ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4288DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4288DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4288DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7288DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7288DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7288DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta），16A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86252
  仓库库存编号：FDMS86252CT-ND
  别名：FDMS86252CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4752
  仓库库存编号：785-1597-1-ND
  别名：785-1597-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2318DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2318DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2318DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361AEES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361AEES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7465TRPBF
  仓库库存编号：IRF7465PBFCT-ND
  别名：*IRF7465TRPBF
  IRF7465PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC097N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC097N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC097N06NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4532DY
  仓库库存编号：SI4532DYCT-ND
  别名：SI4532DYCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），29W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17579Q3AT
  仓库库存编号：296-38463-1-ND
  别名：296-38463-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3692
  仓库库存编号：FDS3692CT-ND
  别名：FDS3692CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2N62K3
  仓库库存编号：497-12553-1-ND
  别名：497-12553-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N90TM
  仓库库存编号：FQD2N90TMCT-ND
  别名：FQD2N90TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC500N20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS3992
  仓库库存编号：FDS3992CT-ND
  别名：FDS3992CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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