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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.93W（Ta），2.75W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4833ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4833ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-EMH
  
  型号：EMH1405-TL-H
  仓库库存编号：EMH1405-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FW813-TL-H
  仓库库存编号：FW813-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 56A（Tc） 42W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R5-25YLC,115
  仓库库存编号：568-7590-1-ND
  别名：568-7590-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） 42W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R0-30YLC,115
  仓库库存编号：568-7591-1-ND
  别名：568-7591-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A05-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8A05-H(TE12LQM-ND
  别名：TPC8A05-H(TE12LQM
  TPC8A05HTE12LQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 700mW（Ta），17W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8066-HLQ(S
  TPCC8066HLQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Ta），23A（Tc） 3.1W（Ta），16.7W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7436
  仓库库存编号：785-1311-1-ND
  别名：785-1311-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4613
  仓库库存编号：AO4613-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 3.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
  
  型号：AON7826
  仓库库存编号：785-1587-1-ND
  别名：785-1587-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），16A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7412
  仓库库存编号：785-1582-1-ND
  别名：785-1582-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4T60
  仓库库存编号：AOI4T60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A065CG
  仓库库存编号：GP2M004A065CG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A065HG
  仓库库存编号：GP2M004A065HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32.9W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M005A050FG
  仓库库存编号：GP2M005A050FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M005A050HG
  仓库库存编号：GP2M005A050HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A065FG
  仓库库存编号：1560-1195-5-ND
  别名：1560-1195-1
  1560-1195-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M004A065PG
  仓库库存编号：1560-1196-5-ND
  别名：1560-1196-1
  1560-1196-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A050CG
  仓库库存编号：1560-1197-1-ND
  别名：1560-1197-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A050PG
  仓库库存编号：1560-1198-5-ND
  别名：1560-1198-1
  1560-1198-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4568
  仓库库存编号：AO4568-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251
  
  型号：AOI4T60P
  仓库库存编号：AOI4T60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 4A/7.5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 4A（Ta），7.5A（Tc） 4.1W（Ta），15.5W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7474A
  仓库库存编号：AON7474A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2299WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2299WP-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 10A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2192WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2192WP-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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