以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4613_001
  仓库库存编号：AO4613_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），12A（Tc） 4.1W（Ta）, 12.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7556
  仓库库存编号：AON7556-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 6A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6A 4.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
  
  型号：AON7812
  仓库库存编号：AON7812-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SJ668(TE16L1,NQ)
  仓库库存编号：2SJ668(TE16L1NQ)-ND
  别名：2SJ668(TE16L1NQ)
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4T60
  仓库库存编号：AOD4T60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Tc） 1.6W（Ta），2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7202TR
  仓库库存编号：IRF7202CT-ND
  别名：IRF7202
  IRF7202CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7103Q
  仓库库存编号：IRF7103Q-ND
  别名：*IRF7103Q
  SP001516968
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7465
  仓库库存编号：IRF7465-ND
  别名：*IRF7465
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012085
  SPP08P06P
  SPP08P06PIN
  SPP08P06PIN-ND
  SPP08P06PX
  SPP08P06PXK
  SPP08P06PXTIN
  SPP08P06PXTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7103QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7103QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7103QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP096N03L G
  仓库库存编号：IPP096N03LGIN-ND
  别名：IPP096N03LGIN
  IPP096N03LGXK
  SP000254737
  SP000680854
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS090N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS090N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS090N03L G
  IPS090N03LGIN
  IPS090N03LGIN-ND
  IPS090N03LGXK
  SP000788216
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU090N03L G
  仓库库存编号：IPU090N03LGIN-ND
  别名：IPU090N03LGIN
  IPU090N03LGXK
  SP000260751
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB096N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB096N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPB096N03LGINCT
  IPB096N03LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD160N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD160N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD160N04L G
  IPD160N04L G-ND
  SP000387933
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP260N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP260N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP260N06N3 G
  IPP260N06N3 G-ND
  SP000453638
  SP000680918
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），44A（Tc） 3.2W（Ta），30W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8334TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8334TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8334TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  
  型号：IRFHM8363TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM8363TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM8363TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB260N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB260N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB260N06N3 GCT
  IPB260N06N3 GCT-ND
  IPB260N06N3G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD250N06N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD250N06N3 GCT
  IPD250N06N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R650CE
  仓库库存编号：IPA50R650CE-ND
  别名：IPA50R650CEXKSA1
  SP000992086
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索