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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU8P10TU
  仓库库存编号：FQU8P10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：2SK4017(Q)
  仓库库存编号：2SK4017Q-ND
  别名：2SK4017(Q)-ND
  2SK4017Q
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：CZDM1003N TR
  仓库库存编号：CZDM1003N CT-ND
  别名：CZDM1003N CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-3-ND
  别名：497-12344-3
  STQ2HNK60ZRAP
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76409D3ST
  仓库库存编号：HUFA76409D3STCT-ND
  别名：HUFA76409D3STCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G150MNTB
  仓库库存编号：RS1G150MNTBCT-ND
  别名：RS1G150MNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
  
  型号：RMW150N03TB
  仓库库存编号：RMW150N03TBCT-ND
  别名：RMW150N03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD8P10TM_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86252
  仓库库存编号：FDS86252CT-ND
  别名：FDS86252CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD15N06-42L_GE3
  仓库库存编号：SQD15N06-42L_GE3CT-ND
  别名：SQD15N06-42L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N90TU_WS
  仓库库存编号：FQU2N90TU_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N90TU_AM002
  仓库库存编号：FQU2N90TU_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6900AS
  仓库库存编号：FDS6900ASCT-ND
  别名：FDS6900ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），14A（Tc） 3.1W（Ta），41W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3502
  仓库库存编号：FDB3502CT-ND
  别名：FDB350CT
  FDB350CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC365P
  仓库库存编号：FDC365PCT-ND
  别名：FDC365PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 109W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60DM2
  仓库库存编号：497-16924-1-ND
  别名：497-16924-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50UTM_WS
  仓库库存编号：FDD5N50UTM_WSCT-ND
  别名：FDD5N50UTM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86240
  仓库库存编号：FDMC86240CT-ND
  别名：FDMC86240CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CE
  仓库库存编号：IPD50R650CECT-ND
  别名：IPD50R650CECT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0909NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0909NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
  BSC0909NSCT
  BSC0909NSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ100N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N06NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0506NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0506NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ0506NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD03N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD03N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD03N50C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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