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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N65M5
  仓库库存编号：497-10878-1-ND
  别名：497-10878-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8N65M5
  仓库库存编号：497-10875-1-ND
  别名：497-10875-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R900P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA533EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA533EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3457CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3457CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3457CDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N80TM
  仓库库存编号：FQD2N80TMCT-ND
  别名：FQD2N80TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004ENDTL
  仓库库存编号：R6004ENDTLCT-ND
  别名：R6004ENDTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06
  仓库库存编号：FQPF20N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8N65M5
  仓库库存编号：497-11398-5-ND
  别名：497-11398-5
  STF8N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM5NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM5NC50CP ROGTR-ND
  别名：TSM5NC50CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM5NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM5NC50CP ROGCT-ND
  别名：TSM5NC50CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM5NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM5NC50CP ROGDKR-ND
  别名：TSM5NC50CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM5NC50CF C0G
  仓库库存编号：TSM5NC50CF C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD3NK50Z-1
  仓库库存编号：STD3NK50Z-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10LN80K5
  仓库库存编号：STD10LN80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU2N62K3
  仓库库存编号：497-12360-ND
  别名：497-12360
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 20W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI10LN80K5
  仓库库存编号：STFI10LN80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL10LN80K5
  仓库库存编号：STL10LN80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10LN80K5
  仓库库存编号：STB10LN80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），16A（Tc） 3.1W（Ta），20W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7752
  仓库库存编号：785-1508-1-ND
  别名：785-1508-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 14A, 18A 3.5W, 3.9W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6946
  仓库库存编号：785-1673-1-ND
  别名：785-1673-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.8W（Tj） DPAK
  
  型号：NVD3055-150T4G-VF01
  仓库库存编号：NVD3055-150T4G-VF01-ND
  别名：NVD3055-150T4G
  NVD3055-150T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4T60P
  仓库库存编号：AOD4T60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4952
  仓库库存编号：785-1616-1-ND
  别名：785-1616-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4176DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4176DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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