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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 250V 14A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD458
  仓库库存编号：785-1353-1-ND
  别名：785-1353-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF4T60P
  仓库库存编号：AOTF4T60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN14006NHL1QCT-ND
  别名：TPN14006NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPC8066-HLQ(S
  TPC8066HLQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：TK20P04M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK20P04M1RQ(S-ND
  别名：TK20P04M1RQ(S
  TK20P04M1RQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N100
  仓库库存编号：AOD2N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3C60
  仓库库存编号：AOD3C60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11.5A, 17A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6908A
  仓库库存编号：AON6908A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SQ4937EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4937EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF5N50FD
  仓库库存编号：AOTF5N50FD-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4936BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD060N25TL
  仓库库存编号：RCD060N25TL-ND
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD075N20TL
  仓库库存编号：RCD075N20TL-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N745U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N745U1T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R900P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R4008ANDTL
  仓库库存编号：R4008ANDTL-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-1G-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60WRVQCT-ND
  别名：TK7P60WRVQCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 12A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX120N20
  仓库库存编号：RCX120N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50FTM_WS
  仓库库存编号：FDD5N50FTM_WSCT-ND
  别名：FDD5N50FTM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R900P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R900P7AKMA1-ND
  别名：SP001633512
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R900P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R900P7AKMA1-ND
  别名：SP001633526
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK7A60WS4VX-ND
  别名：TK7A60W,S4VX(M
  TK7A60WS4VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK7Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK7Q60WS1VQ-ND
  别名：TK7Q60W,S1VQ(S
  TK7Q60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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