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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R900P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R900P7XKSA1-ND
  别名：SP001633482
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R900P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R900P7XKSA1-ND
  别名：SP001633486
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236950
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8334TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8334TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8334TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ0589NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0589NSATMA1-ND
  别名：SP001586396
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），72A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0504NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0504NSIATMA1-ND
  别名：SP001288146
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 27.2W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001217232
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N10S436AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N10S436AATMA1-ND
  别名：SP001102930
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.2A（Tc） 34.7W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R1K0C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R1K0C6SATMA1-ND
  别名：SP001163084
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ3NK50ZR-AP
  仓库库存编号：STQ3NK50ZR-AP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP8N65M5
  仓库库存编号：497-10885-5-ND
  别名：497-10885-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI8N65M5
  仓库库存编号：497-11333-5-ND
  别名：497-11333-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU8N65M5
  仓库库存编号：497-11365-5-ND
  别名：497-11365-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.4A（Ta），7A（Tc） 2.5W（Ta），70W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
  
  型号：STL8N65M5
  仓库库存编号：497-11850-1-ND
  别名：497-11850-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9220
  仓库库存编号：IRFD9220-ND
  别名：*IRFD9220
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9959
  仓库库存编号：NDS9959CT-ND
  别名：NDS9959CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 3A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9620G
  仓库库存编号：IRFI9620G-ND
  别名：*IRFI9620G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IRFR120_R4941
  仓库库存编号：IRFR120FS-ND
  别名：IRFR120_R4941-ND
  IRFR120FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.8W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD3055-150T4
  仓库库存编号：NTD3055-150T4OS-ND
  别名：NTD3055-150T4OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8007-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8007HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8007HTE12LQ
  TPCA8007HTE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU20N06TU
  仓库库存编号：FQU20N06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 5.3A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8P10
  仓库库存编号：FQPF8P10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SSD2007ATF
  仓库库存编号：SSD2007ATF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SSD2007ASTF
  仓库库存编号：SSD2007ASTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP20N06TSTU
  仓库库存编号：FQP20N06TSTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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