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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TF
  仓库库存编号：FQD20N06TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF
  仓库库存编号：FQD8P10TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 6.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU8N25TU
  仓库库存编号：FQU8N25TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17N08
  仓库库存编号：FQP17N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 6.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8N25TF
  仓库库存编号：FQD8N25TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI8P10TU
  仓库库存编号：FQI8P10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 3.75W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB20N06TM
  仓库库存编号：FQB20N06TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 11.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N08
  仓库库存编号：FQPF17N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76409D3S
  仓库库存编号：HUFA76409D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Tc） 49W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUFA76409D3
  仓库库存编号：HUFA76409D3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.13W（Ta），65W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI17N08TU
  仓库库存编号：FQI17N08TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.13W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB17N08TM
  仓库库存编号：FQB17N08TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Tc） 40W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD12N06RLE
  仓库库存编号：RFD12N06RLE-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Tc） 49W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76409P3
  仓库库存编号：HUFA76409P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 3.13W（Ta），87W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N25TM
  仓库库存编号：FQB8N25TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N80TU
  仓库库存编号：FQU2N80TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N90TU
  仓库库存编号：FQU2N90TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N90
  仓库库存编号：FQPF2N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N80TF
  仓库库存编号：FQD2N80TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.4A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2N80TU
  仓库库存编号：FQI2N80TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2N90TU
  仓库库存编号：FQI2N90TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N90TM
  仓库库存编号：FQB2N90TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2.4A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N80TM
  仓库库存编号：FQB2N80TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N90TF
  仓库库存编号：FQD2N90TFCT-ND
  别名：FQD2N90TFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 2.5A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2P02ER2G
  仓库库存编号：MMDF2P02ER2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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