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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.8W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055-150-1G
  仓库库存编号：NTD3055-150-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.4A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3454ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3454ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3454ADV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.93W（Ta），2.75W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4833ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4833ADY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4833ADY-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3.8A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6544BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6544BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6544BDQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N50
  仓库库存编号：FDP5N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3W Through Hole 8-PDIP
  
  型号：AOP610
  仓库库存编号：785-1143-5-ND
  别名：785-1143-1
  785-1143-1-ND
  785-1143-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3W Through Hole 8-PDIP
  
  型号：AOP610
  仓库库存编号：785-1143-2-ND
  别名：785-1143-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50FTF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50FTF_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50TF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50TF_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50UTF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50UTF_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_SB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TM_SB82052-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），5.2W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7620DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7620DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7620DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 530V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N53TM_WS
  仓库库存编号：FDD5N53TM_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF_NB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TF_NB82052-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F080
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Ta） PW-MOLD2
  
  型号：2SJ681(Q)
  仓库库存编号：2SJ681(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 1A DP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1A（Ta） 40W（Tc） DP
  
  型号：2SK2845(TE16L1,Q)
  仓库库存编号：2SK2845(TE16L1,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6601NR2G
  仓库库存编号：NTMD6601NR2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 36W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD5867NL-1G
  仓库库存编号：NTD5867NL-1GOS-ND
  别名：NTD5867NL-1G-ND
  NTD5867NL-1GOS
  NTD5867NL1G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3.8A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6544BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6544BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6544BDQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F（LG 成形）
  
  型号：FDPF5N50TYDTU
  仓库库存编号：FDPF5N50TYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2341DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2341DS-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2341DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2341DS-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.4A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3454ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3454ADV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4176DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4176DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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