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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN02N60C3
  仓库库存编号：SPN02N60C3-ND
  别名：SP000101878
  SPN02N60C3XT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN02N60C3 E6433
  仓库库存编号：SPN02N60C3 E6433-ND
  别名：SP000101883
  SPN02N60C3E6433XT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD640N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD640N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD640N06LGINCT
  IPD640N06LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 11A 14W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4024H-117P
  仓库库存编号：IRFI4024H-117P-ND
  别名：IRFI4024H117P
  SP001566762
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA1
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
  别名：IPD15N06S2L-64
  IPD15N06S2L-64-ND
  SP000252162
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
  
  型号：IRF7665S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7665S2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7665S2TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6
  仓库库存编号：IPD60R950C6INCT-ND
  别名：IPD60R950C6INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6665
  仓库库存编号：IRF6665-ND
  别名：SP001554114
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6665TR1
  仓库库存编号：IRF6665TR1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS9301TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS9301TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS9301TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001276056
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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