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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9310PBF
  仓库库存编号：IRFU9310PBF-ND
  别名：*IRFU9310PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD08P06PGBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGTR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGCT-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGDKR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4936DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4936DCS RLGTR-ND
  别名：TSM4936DCS RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4936DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4936DCS RLGCT-ND
  别名：TSM4936DCS RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4936DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4936DCS RLGDKR-ND
  别名：TSM4936DCS RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
  
  型号：FDPC8013S
  仓库库存编号：FDPC8013SCT-ND
  别名：FDPC8013SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI6N80K5
  仓库库存编号：497-15020-5-ND
  别名：497-15020-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW1N105K3
  仓库库存编号：497-13646-5-ND
  别名：497-13646-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMN3033LDM-7
  仓库库存编号：DMN3033LDM-7DICT-ND
  别名：DMN3033LDM-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 23A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），47A（Tc） 6.2W（Ta），26W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6370
  仓库库存编号：785-1743-1-ND
  别名：785-1743-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），52A（Tc） 6.2W（Ta）, 27W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6368
  仓库库存编号：785-1742-1-ND
  别名：785-1742-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4620DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4620DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4620DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 27A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），60A（Tc） 6.2W（Ta）, 31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6362
  仓库库存编号：785-1741-1-ND
  别名：785-1741-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5P20TU
  仓库库存编号：FQU5P20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3NF06
  仓库库存编号：497-4764-1-ND
  别名：497-4764-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6998
  仓库库存编号：785-1749-1-ND
  别名：785-1749-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7672
  仓库库存编号：FDMA7672CT-ND
  别名：FDMA7672CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta），8.4A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86262P
  仓库库存编号：FDMC86262PCT-ND
  别名：FDMC86262PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4N50TU_WS
  仓库库存编号：FQU4N50TU_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB3N62K3
  仓库库存编号：497-8476-1-ND
  别名：497-8476-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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