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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2P40TM
  仓库库存编号：FQD2P40TMCT-ND
  别名：FQD2P40TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C426NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C426NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C426NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R950C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R950C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP6N95K5
  仓库库存编号：497-12865-5-ND
  别名：497-12865-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5007ANX
  仓库库存编号：R5007ANX-ND
  别名：R5007ANXCT
  R5007ANXCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 26W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R950C6
  仓库库存编号：IPA60R950C6-ND
  别名：IPA60R950C6XKSA1
  SP000629360
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3N62K3
  仓库库存编号：497-12578-5-ND
  别名：497-12578-5
  STF3N62K3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3N62K3
  仓库库存编号：497-8449-5-ND
  别名：497-8449-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP1N105K3
  仓库库存编号：497-13394-5-ND
  别名：497-13394-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N80K5
  仓库库存编号：497-15014-5-ND
  别名：497-15014-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK7E80W,S1X
  仓库库存编号：TK7E80WS1X-ND
  别名：TK7E80W,S1X(S
  TK7E80WS1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 3.4A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5P20
  仓库库存编号：FQPF5P20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU3N50CTU
  仓库库存编号：FQU3N50CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86242
  仓库库存编号：FDS86242CT-ND
  别名：FDS86242CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6994
  仓库库存编号：785-1748-1-ND
  别名：785-1748-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N60NZ
  仓库库存编号：FDPF5N60NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N60NZ
  仓库库存编号：FDP5N60NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD3N62K3
  仓库库存编号：497-8478-1-ND
  别名：497-8478-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R360P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R360P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606074
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606040
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606036
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP2P40_F080
  仓库库存编号：FQP2P40_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH6N95K5-2
  仓库库存编号：497-16316-1-ND
  别名：497-16316-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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