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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4450
  仓库库存编号：AO4450-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6350-TL-W
  仓库库存编号：CPH6350-TL-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4496
  仓库库存编号：785-1292-1-ND
  别名：785-1292-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3467DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3467DV-T1-E3TR-ND
  别名：SI3467DV-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3467DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3467DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta），11A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD478
  仓库库存编号：785-1599-1-ND
  别名：785-1599-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN3033LSDQ-13
  仓库库存编号：DMN3033LSDQ-13DI-ND
  别名：DMN3033LSDQ-13DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMN3033LSD-13
  仓库库存编号：DMN3033LSD-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8667-TL-H
  仓库库存编号：ECH8667-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4620DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4620DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4620DY-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 50A, 60A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6996
  仓库库存编号：AON6996-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8984_F085
  仓库库存编号：FDS8984_F085CT-ND
  别名：FDS8984_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  CFET 3A / 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 62W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N50C_F080
  仓库库存编号：FQP3N50C_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 525V 7A（Ta） 40W（Tc） CPT3
  
  型号：R5207ANDTL
  仓库库存编号：R5207ANDTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9610GPBF
  仓库库存编号：IRFI9610GPBF-ND
  别名：*IRFI9610GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PCH 500V 2A MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 2.15A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5P20RDTU
  仓库库存编号：FQPF5P20RDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP4N60P
  仓库库存编号：IXTP4N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 40W（Tc） LPTS
  
  型号：R5007ANJTL
  仓库库存编号：R5007ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N60P
  仓库库存编号：IXTA4N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R360P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R360P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606068
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK5030DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK5030DPP-M0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N60P
  仓库库存编号：IXTY4N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP8N50P3
  仓库库存编号：IXFP8N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA8N50P3
  仓库库存编号：IXFA8N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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