以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0906NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0906NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0906NSCT
  BSC0906NSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001369532
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA2-ND
  别名：SP001396378
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R950C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R950C6AKMA1-ND
  别名：SP001292888
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：SPB08P06PGATMA1
  仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
  别名：SP000102179
  SPB08P06P G
  SPB08P06P G-ND
  SPB08P06PGINTR
  SPB08P06PGINTR-ND
  SPB08P06PGXT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
  
  型号：AUIRF7665S2TR
  仓库库存编号：AUIRF7665S2TR-ND
  别名：SP001519440
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429478
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NM60N
  仓库库存编号：497-7530-5-ND
  别名：497-7530-5
  STP6NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP16NF06FP
  仓库库存编号：STP16NF06FP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7NK30Z
  仓库库存编号：STP7NK30Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NM50
  仓库库存编号：STP8NM50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP8NM50FP
  仓库库存编号：497-5396-5-ND
  别名：497-5396-5
  STP8NM50FP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.75A（Tc） 70W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
  
  型号：STL6NM60N
  仓库库存编号：497-7992-1-ND
  别名：497-7992-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6NM60N
  仓库库存编号：STF6NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7NK30Z
  仓库库存编号：STD7NK30Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6NM60N
  仓库库存编号：STD6NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6NM60N
  仓库库存编号：497-8770-1-ND
  别名：497-8770-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD6NM60N-1
  仓库库存编号：STD6NM60N-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV22EN,215
  仓库库存编号：568-7535-1-ND
  别名：568-7535-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9947
  仓库库存编号：NDS9947CT-ND
  别名：NDS9947CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD010
  仓库库存编号：IRFD010-ND
  别名：*IRFD010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310
  仓库库存编号：IRFR9310-ND
  别名：*IRFR9310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TR
  仓库库存编号：IRFR9310TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9310
  仓库库存编号：IRFU9310-ND
  别名：*IRFU9310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9610G
  仓库库存编号：IRFI9610G-ND
  别名：*IRFI9610G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索