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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N50TF
  仓库库存编号：FQD4N50TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4N50TU
  仓库库存编号：FQU4N50TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 2A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2P40TM
  仓库库存编号：FQB2P40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N50TM
  仓库库存编号：FQD4N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N30TU
  仓库库存编号：FQI5N30TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 5.4A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N30
  仓库库存编号：FQP5N30-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N40TM
  仓库库存编号：FQB5N40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Tc） 41W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76009D3ST
  仓库库存编号：HUF76009D3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N40TU
  仓库库存编号：FQI5N40TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N30TM
  仓库库存编号：FQB5N30TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 34W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N60
  仓库库存编号：FQPF3N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.4A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N50TM
  仓库库存编号：FQB4N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N50
  仓库库存编号：FQPF4N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2088R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2088R-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3455ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3455ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3455ADV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3456BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3456BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3456BDV-T1-E3CT
  SI3456BDVT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4621DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4621DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4621DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N50CTF
  仓库库存编号：FQD3N50CTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N50CTM
  仓库库存编号：FQD3N50CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N50TM_WS
  仓库库存编号：FQD4N50TM_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N50C
  仓库库存编号：FQPF3N50C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2P40TF_F080
  仓库库存编号：FQD2P40TF_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5P20TM_F080
  仓库库存编号：FQD5P20TM_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4913N-1G
  仓库库存编号：NTD4913N-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4913N-35G
  仓库库存编号：NTD4913N-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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