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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4913NT4G
  仓库库存编号：NTD4913NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4104DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4104DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4104DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3455ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3455ADV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3456BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3456BDV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4104DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4104DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6350-TL-E
  仓库库存编号：CPH6350-TL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 8A 2.2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FW811-TL-E
  仓库库存编号：FW811-TL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4830
  仓库库存编号：AO4830-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9936BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9936BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4450_101
  仓库库存编号：AO4450_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4450L
  仓库库存编号：AO4450L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4496_101
  仓库库存编号：AO4496_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4830L
  仓库库存编号：AO4830L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2NB65CH X0G
  仓库库存编号：TSM2NB65CH X0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB65CP ROGTR-ND
  别名：TSM2NB65CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB65CP ROGCT-ND
  别名：TSM2NB65CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB65CP ROGDKR-ND
  别名：TSM2NB65CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH SSOT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.3A 800mW SuperSOT?-6
  
  型号：FDC655BN_NBNN007
  仓库库存编号：FDC655BN_NBNN007-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU08P06P
  仓库库存编号：SPU08P06PIN-ND
  别名：SP000012086
  SPU08P06PIN
  SPU08P06PX
  SPU08P06PXTIN
  SPU08P06PXTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 21A（Tc） 69W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP21N06T,127
  仓库库存编号：PHP21N06T,127-ND
  别名：934054540127
  PHP21N06T
  PHP21N06T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6665TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6665TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6665TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB08P06P
  仓库库存编号：SPB08P06P-ND
  别名：SP000012508
  SPB08P06PT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06P
  仓库库存编号：SPD08P06P-ND
  别名：SP000077441
  SPD08P06PXT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD15N06S2L-64
  仓库库存编号：SPD15N06S2L-64-ND
  别名：SP000013573
  SPD15N06S2L64T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
• 含铅
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