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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN4NF03L
  仓库库存编号：497-4525-1-ND
  别名：497-4525-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3409
  仓库库存编号：785-1007-1-ND
  别名：785-1007-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3456DDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3456DDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3456DDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC654P
  仓库库存编号：FDC654PCT-ND
  别名：FDC654PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4936CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4936CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4532CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4532CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4532CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC2523P
  仓库库存编号：FDMC2523PCT-ND
  别名：FDMC2523PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN022-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7117-1-ND
  别名：1727-7117-1
  568-9487-1
  568-9487-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN022-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5893-ND
  别名：1727-5893
  568-7512-5
  568-7512-5-ND
  934063985127
  PSMN022-30PL,127-ND
  PSMN02230PL127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.4A（Ta） 500mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV42ENER
  仓库库存编号：1727-2706-1-ND
  别名：1727-2706-1
  568-13225-1
  568-13225-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 3.98A, 3.36A 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC3F381N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC3F381N8DICT-ND
  别名：ZXMHC3F381N8DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 2.3W（Ta），36W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86248
  仓库库存编号：FDMC86248CT-ND
  别名：FDMC86248CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M42-60EX
  仓库库存编号：1727-2562-1-ND
  别名：1727-2562-1
  568-13006-1
  568-13006-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6217TRPBF
  仓库库存编号：IRF6217TRPBFCT-ND
  别名：IRF6217TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU7N65M2
  仓库库存编号：497-15045-5-ND
  别名：497-15045-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N65M2
  仓库库存编号：497-15041-5-ND
  别名：497-15041-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N65M2
  仓库库存编号：497-15036-5-ND
  别名：497-15036-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5T40P
  仓库库存编号：785-1695-1-ND
  别名：785-1695-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 27W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3N50NZ
  仓库库存编号：FDPF3N50NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(QM)-ND
  别名：TK3A60DA(Q)
  TK3A60DA(Q)-ND
  TK3A60DA(QM)
  TK3A60DAQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001606032
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N65M2
  仓库库存编号：497-15050-1-ND
  别名：497-15050-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R600P7SATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R2K0P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R2K0P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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