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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 6.5A（Ta），2.7A（Tc） 3.7W（Ta），18W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8750
  仓库库存编号：FDD8750CT-ND
  别名：FDD8750CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.15A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4462DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4462DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4462DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA917DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA917DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA917DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.15A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4462DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4462DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A50D(STA4QM)
  TK4A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 3.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A55DA(STA4QM)
  TK4A55DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK4P50D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK4P50D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK4P50DT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 3.5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK4P55DA(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK4P55DAT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.1A, 16A 1.9W, 2W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6910A
  仓库库存编号：AON6910A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD474
  仓库库存编号：785-1480-1-ND
  别名：785-1480-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD474A
  仓库库存编号：AOD474A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A050FG
  仓库库存编号：1560-1154-5-ND
  别名：1560-1154-1
  1560-1154-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A060FG
  仓库库存编号：1560-1193-5-ND
  别名：1560-1193-1
  1560-1193-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3421L
  仓库库存编号：AO3421L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD64CN10N G
  仓库库存编号：IPD64CN10N G-ND
  别名：SP000104810
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU64CN10N G
  仓库库存编号：IPU64CN10N G-ND
  别名：SP000209097
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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