品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8259TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8259TRPBFCT-ND
别名:IRLR8259TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7907TRPBF
仓库库存编号:
IRF7907TRPBFCT-ND
别名:IRF7907TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO211PHXUMA1
仓库库存编号:
BSO211PHXUMA1-ND
别名:BSO211P H
BSO211P H-ND
SP000613844
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0924NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0924NDIATMA1-ND
别名:SP000934750
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0923NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0923NDIATMA1-ND
别名:SP000934758
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP230N06L3 G
仓库库存编号:
IPP230N06L3 G-ND
别名:IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 57A(Tc) 48W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8259PBF
仓库库存编号:
IRLU8259PBF-ND
别名:SP001574068
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Tc) 2.5W(Ta),20W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6708S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6708S2TR1PBF-ND
别名:SP001523958
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Tc) 2.5W(Ta),20W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6708S2TRPBF
仓库库存编号:
IRF6708S2TRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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