规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 4.8W(Ta),62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL58N3LLH5
仓库库存编号:
497-16041-1-ND
别名:497-16041-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS9NH3LL
仓库库存编号:
497-6189-1-ND
别名:497-6189-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS9D8NH3LL
仓库库存编号:
497-6030-1-ND
别名:497-6030-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMCM4401UPE/NONE/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(0.78x0.78)
型号:
PMCM4401UPEZ
仓库库存编号:
568-13302-1-ND
别名:568-13302-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(2x2)
型号:
PMCM4401VPEZ
仓库库存编号:
1727-2687-1-ND
别名:1727-2687-1
568-13206-1
568-13206-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB43UNE
仓库库存编号:
1727-1476-1-ND
别名:1727-1476-1
568-10947-1
568-10947-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7907TRPBF
仓库库存编号:
IRF7907TRPBFCT-ND
别名:IRF7907TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.8W(Ta) 6-DFN(1.6x1.6)
型号:
AON1611
仓库库存编号:
785-1488-1-ND
别名:785-1488-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Ta) 1.4W(Tj) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA2P029Z
仓库库存编号:
FDFMA2P029ZCT-ND
别名:FDFMA2P029ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD17309Q3
仓库库存编号:
296-27250-1-ND
别名:296-27250-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 400mW(Ta) DFN2015H4-3
型号:
DMG3415UFY4-7
仓库库存编号:
DMG3415UFY4-7DICT-ND
别名:DMG3415UFY4-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1G
仓库库存编号:
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS4151PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 900mW(Tc) 4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
型号:
SI8823EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8823EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8823EDB-T2-E1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
60V DUAL N-CHANNEL ALPHASGT
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
型号:
AOSD62666E
仓库库存编号:
785-1792-1-ND
别名:785-1792-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.2W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NVJS4151PT1G
仓库库存编号:
NVJS4151PT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.7A(Ta) 510mW(Ta), 3.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV28UNEAR
仓库库存编号:
1727-2530-1-ND
别名:1727-2530-1
568-12969-1
568-12969-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB43UNEZ
仓库库存编号:
PMXB43UNEZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 24W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON7246E
仓库库存编号:
AON7246E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4266E
仓库库存编号:
AO4266E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8P 20V/8V SINGLE SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.15A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-23
型号:
FDV045P20L
仓库库存编号:
FDV045P20L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 26W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6266E
仓库库存编号:
AON6266E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) DPAK
型号:
NTD4813NHT4G
仓库库存编号:
NTD4813NHT4GOSTR-ND
别名:NTD4813NHT4G-ND
NTD4813NHT4GOSTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.9A(Ta) 1.31W(Ta) 8-SO
型号:
SI4346DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4346DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.14W(Ta) 6-DFN(3x3)
型号:
NTLGF3402PT2G
仓库库存编号:
NTLGF3402PT2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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