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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 28V 4.1A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6924AEDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6924AEDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6924AEDQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1488DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1488DH-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2302ADS-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4814BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4814BDY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4814BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4814BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6943BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6943BDQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.4W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8664R-TL-H
  仓库库存编号：ECH8664R-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 530mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25UN,115
  仓库库存编号：568-10417-1-ND
  别名：568-10417-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 545mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN22XN,115
  仓库库存编号：568-10796-1-ND
  别名：568-10796-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4813NHT4G
  仓库库存编号：NVD4813NHT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Trinamic Motion Control GmbH
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 5.5A, 4.1A 1.38W Surface Mount 8-SO
  
  型号：TMC1340-SO
  仓库库存编号：1460-1137-1-ND
  别名：1460-1137-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Tc） 2.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN50XP,165
  仓库库存编号：PMN50XP,165-ND
  别名：934058528165
  PMN50XP /T2
  PMN50XP /T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP230N06L3 G
  仓库库存编号：IPP230N06L3 G-ND
  别名：IPP230N06L3G
  IPP230N06L3GXKSA1
  SP000453648
  SP000680886
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 57A（Tc） 48W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8259PBF
  仓库库存编号：IRLU8259PBF-ND
  别名：SP001574068
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6708S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6708S2TR1PBF-ND
  别名：SP001523958
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6708S2TRPBF
  仓库库存编号：IRF6708S2TRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB230N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPB230N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPB230N06L3 GCT
  IPB230N06L3 GCT-ND
  IPB230N06L3G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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