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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD3NK80ZT4
仓库库存编号:
497-7968-1-ND
别名:497-7968-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD10NM60N
仓库库存编号:
497-10021-1-ND
别名:497-10021-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3437DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3437DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3437DV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024PBFCT-ND
别名:*IRFR9024TRPBF
IRFR9024PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18504Q5A
仓库库存编号:
296-30572-1-ND
别名:296-30572-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7216DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7216DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7216DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 27A 800mW, 900mW Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
型号:
FDPC8011S
仓库库存编号:
FDPC8011SFSCT-ND
别名:FDPC8011SFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4813
仓库库存编号:
785-1058-1-ND
别名:785-1058-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024NPBFCT-ND
别名:*IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRPBF
仓库库存编号:
IRFR420PBFCT-ND
别名:*IRFR420TRPBF
IRFR420PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),36A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102
仓库库存编号:
FDD86102CT-ND
别名:FDD86102CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD16N60M2
仓库库存编号:
497-15461-1-ND
别名:497-15461-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD5N95K3
仓库库存编号:
497-10412-1-ND
别名:497-10412-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020PBF
仓库库存编号:
IRFD9020PBF-ND
别名:*IRFD9020PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9024PBF
仓库库存编号:
IRFD9024PBF-ND
别名:*IRFD9024PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z24PBF
仓库库存编号:
IRF9Z24PBF-ND
别名:*IRF9Z24PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60N
仓库库存编号:
497-12564-5-ND
别名:497-12564-5
STF10NM60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8935
仓库库存编号:
FDS8935CT-ND
别名:FDS8935CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTM
仓库库存编号:
FQD5N60CTMCT-ND
别名:FQD5N60CTMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),37A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86326
仓库库存编号:
FDD86326CT-ND
别名:FDD86326CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024NPBF
仓库库存编号:
IRFU9024NPBF-ND
别名:*IRFU9024NPBF
SP001557756
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9024PBF
仓库库存编号:
IRFU9024PBF-ND
别名:*IRFU9024PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z24NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NPBF-ND
别名:*IRF9Z24NPBF
SP001555934
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF30N10F7
仓库库存编号:
497-14554-5-ND
别名:497-14554-5
STF30N10F7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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