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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL13N60DM2
仓库库存编号:
497-16931-1-ND
别名:497-16931-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM50N
仓库库存编号:
497-10567-1-ND
别名:497-10567-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL40N10F7
仓库库存编号:
497-13968-1-ND
别名:497-13968-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名:IRFL4315TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NM60N
仓库库存编号:
497-9098-5-ND
别名:497-9098-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK80Z
仓库库存编号:
497-4379-5-ND
别名:497-4379-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
AOT5N50
仓库库存编号:
785-1173-5-ND
别名:785-1173-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP17N25S3100AKSA1
仓库库存编号:
IPP17N25S3100AKSA1-ND
别名:SP001025116
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24SPBF-ND
别名:IRF9Z24SPBFCT
IRF9Z24SPBFCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N95K3
仓库库存编号:
497-10405-5-ND
别名:497-10405-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017072
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017058
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N60DM2
仓库库存编号:
497-16961-ND
别名:497-16961
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N60M2
仓库库存编号:
497-16013-5-ND
别名:497-16013-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP16N60M2
仓库库存编号:
497-16022-5-ND
别名:497-16022-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 8.5A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z24GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z24GPBF-ND
别名:*IRFI9Z24GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60C
仓库库存编号:
FQPF5N60CFS-ND
别名:FQPF5N60C-ND
FQPF5N60CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 94W(Tc) ITO-220
型号:
TSM3N80CI C0G
仓库库存编号:
TSM3N80CI C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 70W(Tc) I2PAK
型号:
STI10NM60N
仓库库存编号:
497-13839-5-ND
别名:497-13839-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI5N95K3
仓库库存编号:
497-13867-5-ND
别名:497-13867-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM50N
仓库库存编号:
497-12566-5-ND
别名:497-12566-5
STF11NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60ND
仓库库存编号:
497-12246-ND
别名:497-12246
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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