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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8T50P
仓库库存编号:
AOTF8T50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N60CTU
仓库库存编号:
FQU5N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TJ8S06M3L(T6L1NQ)-ND
别名:TJ8S06M3L(T6L1NQ)
TJ8S06M3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ10S04M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ10S04M3L(T6L1NQ
TJ10S04M3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N60C
仓库库存编号:
FQP5N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J5TR
仓库库存编号:
QS8J5TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR420TRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9024TRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024TRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 65W(Tc) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK2076DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK2076DPA-00#J5A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 65W(Tc) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK1576DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK1576DPA-00#J5A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24STRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24STRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号:
AUIRFR9024NTRL-ND
别名:SP001518586
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号:
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名:SP000876560
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN2NE10
仓库库存编号:
STN2NE10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD8NM60N-1
仓库库存编号:
STD8NM60N-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8NM60N
仓库库存编号:
497-7475-5-ND
别名:497-7475-5
STF8NM60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM60N
仓库库存编号:
497-7533-5-ND
别名:497-7533-5
STP8NM60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD8NM60N
仓库库存编号:
497-7977-1-ND
别名:497-7977-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB8NM60N
仓库库存编号:
497-8771-1-ND
别名:497-8771-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STP5N95K3
仓库库存编号:
497-10992-5-ND
别名:497-10992-5
STP5N95K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 11A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z24
仓库库存编号:
IRF9Z24-ND
别名:*IRF9Z24
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24S
仓库库存编号:
IRF9Z24S-ND
别名:*IRF9Z24S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24STRR
仓库库存编号:
IRF9Z24STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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