规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(190)
分立半导体产品
(190)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (6)
Global Power Technologies Group (8)
Infineon Technologies (30)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (29)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (5)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (36)
Taiwan Semiconductor Corporation (15)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (6)
Vishay Siliconix (42)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020
仓库库存编号:
IRFD9020-ND
别名:*IRFD9020
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9024
仓库库存编号:
IRFD9024-ND
别名:*IRFD9024
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420
仓库库存编号:
IRFR420-ND
别名:*IRFR420
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TR
仓库库存编号:
IRFR420TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024
仓库库存编号:
IRFR9024-ND
别名:*IRFR9024
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TR
仓库库存编号:
IRFR9024TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU420
仓库库存编号:
IRFU420-ND
别名:*IRFU420
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9024
仓库库存编号:
IRFU9024-ND
别名:*IRFU9024
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.5A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z24G
仓库库存编号:
IRFI9Z24G-ND
别名:*IRFI9Z24G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24STRL
仓库库存编号:
IRF9Z24STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRL
仓库库存编号:
IRFR420TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRR
仓库库存编号:
IRFR420TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRL
仓库库存编号:
IRFR9024TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRR
仓库库存编号:
IRFR9024TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB20AN06A0
仓库库存编号:
FDB20AN06A0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP20AN06A0
仓库库存编号:
FDP20AN06A0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF5N60CYDTU
仓库库存编号:
FQPF5N60CYDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTF
仓库库存编号:
FQD5N60CTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N80
仓库库存编号:
FQPF3N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60CTM
仓库库存编号:
FQB5N60CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N80TM
仓库库存编号:
FQB3N80TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N80TU
仓库库存编号:
FQI3N80TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N80
仓库库存编号:
FQP3N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.7A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3457BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3457BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3457BDV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 49W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z24
仓库库存编号:
SFP9Z24-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号