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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 7.8A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9024TM
仓库库存编号:
SFR9024TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_AM002
仓库库存编号:
SFU9220TU_AM002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_F080
仓库库存编号:
SFU9220TU_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N62ZG
仓库库存编号:
NDF04N62ZGOS-ND
别名:NDF04N62ZG-ND
NDF04N62ZGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.4A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD08P06-155L-E3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-E3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.7A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3457BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3457BDV-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD08P06-155L-T4E3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-T4E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A06-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
别名:TPC8A06HTE12LQM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8419-TL-H
仓库库存编号:
ECH8419-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 10A 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
FW812-TL-E
仓库库存编号:
FW812-TL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2057DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2057DPA-00#J0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 77.6W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6006DPD-00#J2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Ta) 29W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6006DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6006DPP-E0#T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M003A080H
仓库库存编号:
GP1M003A080H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A080PH
仓库库存编号:
GP1M003A080PH-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M016A025PG
仓库库存编号:
GP1M016A025PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
1560-1156-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M016A025CG
仓库库存编号:
1560-1183-1-ND
别名:1560-1183-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A025FG
仓库库存编号:
1560-1184-5-ND
别名:1560-1184-1
1560-1184-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) TO-220
型号:
GP1M016A025HG
仓库库存编号:
1560-1185-5-ND
别名:1560-1185-1
1560-1185-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 104W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT5N50_001
仓库库存编号:
AOT5N50_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH DUAL 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4813_002
仓库库存编号:
AO4813_002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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