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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NL
仓库库存编号:
IRF9Z24NL-ND
别名:*IRF9Z24NL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 9.5A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9Z24N
仓库库存编号:
IRFI9Z24N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315
仓库库存编号:
IRFL4315-ND
别名:*IRFL4315
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NLPBF-ND
别名:*IRF9Z24NLPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ24N,127
仓库库存编号:
IRFZ24N,127-ND
别名:934055537127
IRFZ24NP
IRFZ24NP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024N
仓库库存编号:
AUIRFR9024N-ND
别名:SP001521726
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.3A(Ta),34A(Tc) 2.8W(Ta),37W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM7194TRPBF-ND
别名:SP001565966
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6BTMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),35A(Tc) 3.6W(Ta),39W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7194TRPBFCT-ND
别名:IRFH7194TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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